GaN metal yarı iletken metal fotodedektör üretim parametreleri ve karakterizasyonu
| dc.contributor.advisor | Kabak, Mehmet | |
| dc.contributor.author | Boğa, Selvi Songül | |
| dc.contributor.department | Fizik Mühendisliği | tr_TR |
| dc.date.accessioned | 2023-03-29T08:58:54Z | |
| dc.date.available | 2023-03-29T08:58:54Z | |
| dc.date.issued | 2017 | |
| dc.description.abstract | Bu tez çalışmasında geniş dalgaboyu aralığına sahip GaN tabanlı metal yarıiletken metal fotodedektörlerinin üretimi için uygun iş akışı ve karakterizasyonları ortaya konulmaya çalışılmıştır. Fotodedektörlerde çok önemli olan karanlık akımın en az olması için en uygun üretim yöntemler belirlenmeye çalışılmıştır. Fotodedektör prototipi üretiminde uygun iş akışı belirlenmiş ve üretilen aygıt için karakterizasyon aşamasına geçilmiştir. Bir dedektörün ideal olup olmadığını belirleyebilmek için bazı parametreler vardır. Dedektör parametreleri çeşitli testler ile ölçülerek ürünün karakterizasyon işlemleri gerçekleştirilmiştir. Üretimi tamamlamış olan GaN katkılı MSM fotodedektörün de ideal olup olmadığını belirleyebilmek için, akım-gerilim, tayfsal yanıt, kuantum verimliliği ve doğrusallık gibi ölçümler yapılmıştır. | tr_TR |
| dc.description.ozet | In this thesis, wide range wavelength of GaN induced metal semiconductor metal photodetectors have been utilized in the production stage and characterized. One of the major problems of photodetector devices is the dark current and photodetectors have been designed with the aim to minimize the dark current. The fabrication methods and process flowchart have been chosen to be suitable for GaN containing metal-semiconductor-metal processes and to yield minimum dark current, and prototype devices have been fabricated. Several parameters exist to determine whether the performance of a photodetector is adequate, hence, the fabricated prototypes have been characterized through measurements of these parameters by various testing methods. The specific parameters measured to evaluate the performance of the GaN metal-semiconductor-metal photodetectors are the current–voltage characteristics, spectral response, quantum efficiency, and response time. | tr_TR |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.12575/87895 | |
| dc.language.iso | tr | tr_TR |
| dc.publisher | Fen Bilimleri Enstitüsü | tr_TR |
| dc.subject | GaN metal | tr_TR |
| dc.subject | yarı iletken | tr_TR |
| dc.subject | fotodedektör | tr_TR |
| dc.title | GaN metal yarı iletken metal fotodedektör üretim parametreleri ve karakterizasyonu | tr_TR |
| dc.title.alternative | Production parameters and characterization of GaN metal semiconductor metal photodetector | tr_TR |
| dc.type | masterThesis | tr_TR |