Repository logo
  • English
  • Català
  • Čeština
  • Deutsch
  • Español
  • Français
  • Gàidhlig
  • Italiano
  • Latviešu
  • Magyar
  • Nederlands
  • Polski
  • Português
  • Português do Brasil
  • Srpski (lat)
  • Suomi
  • Svenska
  • Türkçe
  • Tiếng Việt
  • Қазақ
  • বাংলা
  • हिंदी
  • Ελληνικά
  • Српски
  • Yкраї́нська
  • Log In
    New user? Click here to register. Have you forgotten your password?
Repository logo
  • Communities & Collections
  • All of DSpace
  • English
  • Català
  • Čeština
  • Deutsch
  • Español
  • Français
  • Gàidhlig
  • Italiano
  • Latviešu
  • Magyar
  • Nederlands
  • Polski
  • Português
  • Português do Brasil
  • Srpski (lat)
  • Suomi
  • Svenska
  • Türkçe
  • Tiếng Việt
  • Қазақ
  • বাংলা
  • हिंदी
  • Ελληνικά
  • Српски
  • Yкраї́нська
  • Log In
    New user? Click here to register. Have you forgotten your password?
  1. Home
  2. Browse by Author

Browsing by Author "ENER, Semih (Yazar)"

Now showing 1 - 1 of 1
Results Per Page
Sort Options
  • No Thumbnail Available
    Item
    Gd5Si2.05-xGe1.95-xSb2x SİSTEMİNİN 2x=0, 0.01, 0.03, 0.05 ve 0.08 BİLEŞİKLERİ İÇİN YAPISAL VE MANYETOKALORİK ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ
    (ANKARA ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ FİZİK MÜHENDİSLİĞİ ANABİLİMDALI) ENER, Semih (Yazar); ELERMAN, Yalçın (Tez Danışmanı)
    “Gd5Si2.05-xGe1.95-xSb2x Sisteminin 2x = 0, 0.01, 0.03, 0.05 ve 0.08 Bileşikleri için Yapısal ve Manyetokalorik Özelliklerinin İncelenmesi” adlı tez çalışmasında amaç Gd5Si2Ge2 sisteminden ayılarak hazırlanan Gd5Si2.05Ge1.95 sistemine yapılan antimuan (Sb) katkılamasının sistemin manyetokalorik özelliklerine etkisini incelemektir. Sb katkılamasının etkisinin anlaşılabilmesi için öncelikle saf sistemin manyetik özellikleri incelenmiş daha sonra Gd5Si2.05-xGe1.95-xSb2x sistemi 2x = 0.01, 0.03, 0.05 ve 0.08 alaşımları için incelenmiştir. Üretilen tüm alaşımlarda ana faz olan monoklinik (P 1 1 21/A) Gd5Si2Ge2 fazının yanı sıra ortorombik (P n m a) Gd5Si4 fazı gözlemlenmektedir. Rietveld arıtımı sonuçlarından gözlemlenmiştir ki ana faz olan Gd5Si2Ge2 fazı tüm alaşımlar için yaklaşık % 80 oranındadır. Mıknatıslanma ölçümlerinden yola çıkılarak gerçekleştirilen manyetik entropi değişimi hesaplarından en yüksek manyetokalorik özellik gösteren malzemenin Gd5Si2.025Ge1.925Sb0.05 alaşımı olduğu belirlenmiştir. 5 T lık manyetik alan değişimi için saf sistemde gözlemlenen manyetik entropi değişimi 8.89 J kg-1 K-1 iken bu değer Gd5Si2.025Ge1.925Sb0.05 alaşımı için 12.67 J kg-1 K-1 dir. Antimuan katkılanan diğer tüm örnekler küçük manyetokalorik özellik sergilemişlerdir. Gd5Si2.025Ge1.925Sb0.05 alaşımı manyetik geçişin yanı sıra yapısal geçiş de sergilemektedir. Bu nedenle Gd5Si2.025Ge1.925Sb0.05 alaşımı sergilediği yapısal geçişten emin olabilmek için sıcaklığa bağlı zor ölçümleri zor ölçer yöntemi ile gerçekleştirilmiştir. Yapılan ölçümler göstermiştir ki alaşım sıfır alanda yaklaşık olarak 250 K yakınlarında yapısal geçiş sergilemektedir. Artan manyetik alan değeri ile malzemenin sergilediği bu geçiş sıcaklığı daha yüksek sıcaklıklara kaymaktadır. Ayrıca alaşımın sergilediği manyetokalorik özellik direkt ölçüm yöntemi ile ölçülmüştür. Bu ölçüm sonucunda 5 T lık manyetik alan değişimi için malzemede 7.6 K lik sıcaklık değişimi, 2 T lık ölçümde ise 3.2 K lik sıcaklık değişimi gözlemlenmiştir. Bu tez çalışmasına başlarken saf sisteme Sb katkılaması ile sistemin sahip olduğu manyetokalorik özelliği arttırılması ve geçiş sıcaklığının ayarlanması planlanmıştır. Deney sonuçları amaçlarımıza ulaştığımızı doğrulamıştır.

DSpace software copyright © 2002-2025 LYRASIS

  • Cookie settings
  • Privacy policy
  • End User Agreement
  • Send Feedback