In, Al, Ga, Sn ve Sb katkılı ince film özelliklerinin incelenmesi
Özet
Bu tez çalışmasının amacı farklı cins katkı atomlarının ZnO ince filmin elektriksel, optiksel ve yapısal özellikleri üzerindeki etkisini araştırmaktır. Bunu gerçekleştirmek için %3 oranında In, Ga, Al, Sn ve Sb katkılı ince filmler cam alt tabakalar üzerinde sol-gel yöntemi ile büyütülmüştür. İnce filmlerin yasak enerji bant aralıkları geçirgenlik spektrumları yardımıyla belirlenmiştir. Sb ve In katkısının yasak enerji bant aralığını daralttığı, Al, Ga ve Sn katkısının yasak enerji bant aralığını genişlettiği belirlenmiştir. Ayrıca filmlerin Wemple-DiDomenico parametreleri bulunmuştur. İnce filmlerin aktivasyon enerjileri ve iletkenlikleri iki nokta yöntemiyle I-V-T ölçümlerinden bulunmuştur. Kalay katkılı ince filmin iletkenliğinin Al, Ga ve In katkılanan ince filmlerinkinden daha küçük olduğu bulunmuştur. İnce filmlerin yapısal özellikleri XRD spektrumları yardımıyla incelenmiştir. XRD spektrumları ile filmlerin hekzagonal wurtzite yapıda büyüdüklerini katkı atomlarının yapıyı değiştirmediği bulunmuştur