Si (001) yüzeyinin atomik ve elektronik yapısı
Göster/ Aç
Yazar
ALKAN, Bora (Tez Danışmanı)
KADEROĞLU, Çağıl (Yazar)
Üst veri
Tüm öğe kaydını gösterÖzet
Bu tez çalışmasında, Si (001) yüzeyinin atomik ve elektronik özellikleri ab – initio yoğunluk fonksiyoneli hesapları ile incelenmiştir. İlk olarak temiz silisyum yüzeyine ait sonuçları verdik. Daha sonra Si (001) yüzeyine 0.5 ML, 1 ML ve 2 ML olacak şekilde adsorplanmış S atomu ile 0.5 ML ve 1 ML olacak şekilde adsorplanmış Ge atomu çalışılmıştır. Son olarak, Ge kaplamalardan kararlı bulunan yapılara H atomu eklendiğinde oluşan yeni durumlar incelenmiştir. Bu işlemin, yüzeylerin özelliklerini ne yönde etkilediği tartışılmıştırAbstractIn this thesis, the atomic and electronic properties of Si (001) surface have been investigated by ab – initio density functional calculations. We have first given the results for a clean silicon surface. Then, an adsorbed S atom on Si (001) surface for 0.5 monolayer (ML), 1 ML and 2 ML were studied, while an adsorbed Ge atom has been studied for 0.5 ML and 1 ML. Finally, the new composed cases have been studied when H atom has been added to the surfaces of Ge coverages which were found as stable. It has then been discussed how this processing has affected the properties of surfaces.