GaN metal yarı iletken metal fotodedektör üretim parametreleri ve karakterizasyonu
Abstract
Bu tez çalışmasında geniş dalgaboyu aralığına sahip GaN tabanlı metal yarıiletken metal fotodedektörlerinin üretimi için uygun iş akışı ve karakterizasyonları ortaya konulmaya çalışılmıştır. Fotodedektörlerde çok önemli olan karanlık akımın en az olması için en uygun üretim yöntemler belirlenmeye çalışılmıştır. Fotodedektör prototipi üretiminde uygun iş akışı belirlenmiş ve üretilen aygıt için karakterizasyon aşamasına geçilmiştir. Bir dedektörün ideal olup olmadığını belirleyebilmek için bazı parametreler vardır. Dedektör parametreleri çeşitli testler ile ölçülerek ürünün karakterizasyon işlemleri gerçekleştirilmiştir. Üretimi tamamlamış olan GaN katkılı MSM fotodedektörün de ideal olup olmadığını belirleyebilmek için, akım-gerilim, tayfsal yanıt, kuantum verimliliği ve doğrusallık gibi ölçümler yapılmıştır.